Блог

Jul 04, 2023

Проект ETMOS по разработке сверхбыстрых диодов и транзисторов...

Карбид кремния (SiC) и нитриды III группы (GaN, AlN, InN и их сплавы) играют решающую роль в энергоэффективном преобразовании энергии, высокочастотной электронике и оптоэлектронике. Объединив

Карбид кремния (SiC) и нитриды III группы (GaN, AlN, InN и их сплавы) играют решающую роль в энергоэффективном преобразовании энергии, высокочастотной электронике и оптоэлектронике. Объединив зрелую технологию этих широкозонных полупроводников с исключительными свойствами 2D-материалов, таких как графен и дихалькогениды переходных металлов (в частности, дисульфид молибдена (MoS2)), исследователи могут разрабатывать сверхбыстрые диоды и транзисторы.

С апреля 2020 г. по март 2023 г. исследователи из CNR-IMM (Италия), CNRS-CRHEA (Франция), IEE-SAS (Словакия), MFA-EK (Венгрия) и Университета Палермо (Италия) сотрудничали в проекте FLAG- Проект ERA ETMOS по созданию концептуальных устройств на основе MoS2, SiC и нитрида галлия (GaN).

Изюминкой проекта ETMOS стала разработка гетеропереходных диодов MoS2/SiC и MoS2/GaN с превосходными выпрямляющими свойствами. Перестраиваемая подача тока была достигнута путем подбора легирования поверхностей MoS2 или SiC (GaN).

Проект ETMOS активно распространял свои научные результаты различными способами, включая публикацию их в рецензируемых журналах открытого доступа, участие в международных конференциях и организацию симпозиума на осеннем собрании Европейского общества исследования материалов (EMRS) 2022 года.

«Интеграция 2D-материалов обеспечивает новые функциональные возможности SiC и GaN, расширяя диапазон потенциальных применений этих широкозонных полупроводников. Я ожидаю, что эта технология откроет новые рыночные возможности», — говорит директор по исследованиям CNR-IMM Филиппо Джаннаццо.

Узнать больше